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常年代理三菱 IGBT qy886 PM75LA1200-300G PM25RLA12O-300G PM150RLA1200-300G 库存 价格有竞争力



采用CSTBTTM硅片技术
饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%,在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
成本优化的封装
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小
qy886内部寄生电感小
功率循环能力显著改善

应用领域

适合中、低端变频器产品设计

采用第6代IGBT硅片技术,损耗低
硅片结温可高达175°C
硅片运行温度最高可达150°C
内部集成NTC测温电阻
封装兼容第五代A/NF系列qy886

 

脚注信息
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